最新新闻
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年(nian)度性能旗舰iQOO 13震撼登场(chang)，汇顶科(ke)技多款方案助力
2024.10.30 -
芯联集(ji)成总经理赵奇：公(gong)司(si)2026年收入预(yu)计将超100亿
2024.10.30 -
卫星通信大爆发前夜
2024.10.30 -
AI时代，国(guo)产EDA大有可为！
2024.10.29 -
腿喷芯联(lian)集(ji)成第三季度营(yi衙四ng)收增长超27%，毛(mao)利率转正(zheng)达6.16%
2024.10.29 -
格(ge)罗(luo)方(fang)德，深(shen)耕(geng)中国市(shi)场
2024.10.28 -
为何(he)说(shuo)FeRAM，是行业应用的万(wan)能钥匙？
2024.10.28 -
艾(ai)迈斯欧司朗：LED，智能驾驶中的光与(yu)智
2024.10.28
频道新闻
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英飞凌推出高性能 CIPOS™ Maxi 智能功率模块，适用于功率高达 4 千瓦的工业电机驱动器
【2024 年(nian)8月12日，德国慕尼黑讯】英飞(fei)凌科技股份有(you)限公司（FSE：IFX OTCQX：IFNNY）推出(chu)用于电机驱(拔莱qu)动的(de)低功耗CIPOS&tr史止ade; Maxi智能
2024.08.12 -
英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管
【2024年7月(yue)11日，德(de)国慕尼(ni)黑讯(xun)】全球(qiu)功率系统和物联网(wan十气g)领域的半导体领导者英飞凌科技(ji)股份(fe位谋n)公司（FSE代码：IFX OTCQX代码：IFNNY）推出全
2024.07.11 -
借助智能功率模块系列提高白色家电的能效
CIPOS™ Mini IM捶藏523系(xi)列是一个全新(xin)的(de)智能功率模块（IPM）系(xi)列，这些产品采用完全隔离(li)的(de)双(shuang)列直插(cha)式封装疾仇，通过集成第(di)二代逆导型(xing)IGBT，
2024.06.14 -
英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC™ MOSFET 槐秧650 V G2，提执桌高系统功率密度
【2024年6月13日(ri)剑裙，德国慕尼黑讯】在技术进步和低碳化日(ri)益受到重视的推动下，电子行业(ye)正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技
2024.06.13 -
英飞凌携手海鹏科技，技术创新引领分布式能源未来
【2024年5月(yue)30日，中(zhong)国上海(hai)讯】近日，英飞凌宣布(bu)与海(hai)鹏科(ke)技达(da)成合作(zu左启o)，在海(hai)鹏科(ke)技全系列产品中(zhong)全面使用英飞凌功率(lv)半导(dao)体(ti)器件以及EiceDRIVER&
2024.05.30 -
爱仕特获批广东省碳化硅分立器件研究与应用工程技术研究中心
深圳爱仕特(te)科(ke)技有限(xi芥彪an)公司获批“广东省碳化硅半导体(ti)分立器件研究(jiu)与应用（爱仕特(te)）工程技术研究(jiu)中(zhong)心”。
2024.04.18 -
英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS™ 7
【2024年(nian)4月(yue)15日，德国慕尼黑讯】英(ying)飞凌科技股份(fen)公(gong)司（FSE代码：IFX OTCQX代码：IFNNY）推出其最新(xin)先进功率MOSFET 技术——OptiMOS&滤奈;tr
2024.04.16 -
英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET， 以更高的功率密度和效率树立行业新标准
【2024年(nian)3月20日，德国慕尼黑讯】英飞(fei)凌科技股份公司（FSE代码(ma)：IFX OTCQX代码(ma)：IFNNY）推出栖袋(氏掠chu)OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系
2024.03.21 -
英飞凌携手盛弘电气拓展储能市场， 共同推进绿色能源发展
【2024年1月26日，德国慕尼(ni)黑和中阶淘国深(shen)圳讯】近日，英(ying)飞凌宣布与全球(qiu)领先(xian)的能源互联网核(he)心(xin)忽冻电力设备及解决(jue)方案领军企(qi)业盛弘电气股份有(you)限公司
2024.01.26 -
全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化
【2023年12月25日，德(de)国(guo)慕尼黑讯】许(xu)多应用(yong)都出现(xian)了采用(yong)更小(xiao)IGBT模(mo)块，以及将复杂设(she)计转(zhuan)移给产业链上游的明显趋势。为了顺赴背(shun)应小(xiao)型化和集(ji)成(cheng)化
2023.12.25 -
英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7 产品组合，推出全新电流额定值模块
英(ying)飞凌科技股份公司推出搭载1200 V TRENCHSTOP™ IGB允坚T7芯(xin)片的(de)62 mm半桥和共发射极模(mo)块产(chan)品组合。模(mo)块的(de)最大电流规格高达800 A
2023.09.06 -
英飞凌推出全新的TEGRION系列安全控制器
【2023年8月18日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公(gong)司于近日宣(xuan)布推出(chu跨注)全(quan)新(xin)的TEGRION™系列安全(quan)控(kong)制(zhi)器，这是英飞凌迄(qi)今为止最广(guang)泛的28 n
2023.09.05 -
英飞凌推出先进的OptiMOS 功率MOSF嘉钙ET，进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容
【2023年8月(yue)3日，德(de)国(guo)慕(mu)尼黑讯】小型分立式功(gong)率MOSFET在节省空间、降低成本(ben)和简化应(ying)用(yong)设丐吓计方面发挥着(zhe)至关重要的作用(yong)。此外，更高的功(gong)率密(mi)度(du)
2023.09.05 -
创新推动低碳化和数字化 英飞凌亮相PCIM Asia 2023
【2023年8月(yue)29日(ri)，中(zhong)国上海讯】牙刊英飞(fei)凌（Infineon）今日(ri)携广泛的(de)半导体技术和(he)产品，亮(liang)相于上海新国际博览(lan)中(zhong)心举(ju)办的(de) 2023上海国际电力元件(jian)
2023.08.29 -
英飞凌高压超结 MOSFET 系列产品新增工业级和车规级器件，用于静态开关应用
【2023年7月27日，德国泡隶(guo)慕尼(ni)黑讯(xun)】在(zai)静(jing)态开关应(ying)用中，电源(yuan)设(she)计侧重于(yu)最大程度(du)地降低导通(tong)损耗(hao)、优(you)化热性能(neng)、实现(xian)紧(jin)凑(cou)轻便的系统设(she)计，同(tong)时以(yi)
2023.08.03 -
GaN Systems 与上海安世博能源科技结盟 推进氮化镓进入中国电动车应用市场
氮化镓功(gong)率半导(dao)体(ti)全球领导(dao)厂(chang)商 GaN Systems 今宣布与上海安(an)世博能源科技(ji)孽傻策略结盟，共同致力于加(jia)速并扩大氮化镓功(gong陆爽)率半导(dao)体(ti)于电(dian)动车应用的发展。
2023.08.03 -
IGBT“抢货”氛围持续，陆芯驶上国产替代快车道
尽管(guan)当前(qian)全球半(ban)导(dao)体产业处于(yu)下行周期(qi)，总体市场氛围需(xu)求不振，但依然存在IGBT等(deng)少数供(gong)不应(ying)求的领域。消息(xi)称(cheng)，英飞凌、意法半(ban)导(dao)体国外大腔召(da)厂(chang)IG
2023.06.19 -
三安光电拟与意法半导体在重庆合资设厂生产碳化硅晶圆
6月7 日，中国(guo)化合物半(ban)导(dao)体龙(long)头公(gong)(gong)司三安光电与全球排名前列的半(ban)导(dao)体龙(long)头公(gong)(gong)司意法半(ban)导(dao)体描蹦联合宣布：双方已签署协(xie)议(yi)，拟在中国(guo)重庆共同建立一
2023.06.07 -
英飞凌德累斯顿新工厂破土动
【2023 年 5 月 5 日，德(de)国(guo)慕尼黑及德(de)累斯(si)顿讯】英飞凌科(ke)技股份公司（FSE: IFX OTCQX: IFN讯倾NY）与来自比利时布(bu)鲁塞尔、德(de)国(guo)柏林(lin)
2023.05.15 -
英飞凌与鸿海签订合作备忘录，将在台湾地区设立车用系统应用中
【2023 年 5 月 10 日，德国慕尼黑讯(xun)】全球车用半导体领导厂商英飞凌科技(集伦ji)股份公司(FSE: IFX OTCQX: IFNNY)漏瞪 与全球最大的(de)科技(ji)制
2023.05.15 -
推动本土低碳化、数字化发展，英飞凌是怎样做的？
当下，全(quan)球正处(chu)于低(di)碳(tan)化、数字化转型升级过程中，在这一转变之下，半(ban)导(dao)体行(xing)业(ye)对各个应用和产输吏业(ye)的(de)发(fa)展尤(you)为重要。高性能(neng)的(de)半(ban)导(dao)体能(neng)够帮助新能(neng)
2022.12.27 -
清纯半导体推出新能源车主驱用SiC芯片
近日(ri)，国内SiC功率(lv)器(qi)件领先(xian)企业清纯半导(dao)体推出了(l撑夕e)1200V 14mΩ SiC MOSFET 产品- S1M014120H，并通浩厂过(guo)了(le)车企和tier1厂商(shang)的(de)测(ce)试。
2022.08.22 -
SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有单电源正电压时如何实现负压？
现代工业对(dui)电猫居(dian)力电(dian)子设备提(ti)出了很多要求：体(ti)努铆积小、重量轻、功率(lv)大、发热少。
2021.12.06 -
打破技术垄断，比亚迪自主研发碳化硅功率MOS器件
碳(tan)化硅材料以其优(you)异的(de)性能被行业(ye)列为第哭夺(di)三代(dai)半导体材料，其击穿场(chang)强是硅的(de)10倍，热(re)导率是硅的(de)2 5倍。用碳(tan)化硅材料制作的(de)MOS器件可在大于200
2017.10.19 -
全球功率半导体规模2021年将达400亿美元，大陆增幅最快
在车(che)用与产业用功(gong)率半导(dao)体销(xiao)售成长推动下，2016年全球整体功(gong)率半导(da瓮疤o)体市场(chang)销(xiao)售额(e)(e)年增3 9%。预估2017~2021年该产品(pin)销(xiao)售额(e)(e)还会(hui)继续成长，合计2
2017.10.19
